Numéro de produit du fabricant:
TSM170N06PQ56 RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM170N06PQ56 RLG-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 60 V 44A (Tc) 73.5W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventaire:
13281 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12897537
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SOUMETTRE
TSM170N06PQ56 RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1556 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
73.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
TSM170
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM170N06PQ56 RLGTR
TSM170N06PQ56RLGTR
TSM170N06PQ56 RLGDKR-DG
TSM170N06PQ56RLGCT
TSM170N06PQ56 RLGTR-DG
TSM170N06PQ56RLGDKR
TSM170N06PQ56 RLGCT-DG
TSM170N06PQ56 RLGDKR
TSM170N06PQ56 RLGCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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TSM4NB60CP ROG
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